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士蘭信息
士蘭微電子榮獲第十三屆中國半導體創新產品和技術獎
2019-05-18 作者:

由中國半導體行業協會、中國電子信息產業發展研究院,江蘇省工業和信息化廳以及南京江北新區管理委員會聯合主辦的2019世界半導體大會?高峰論壇于2019年5月17日在南京召開。會議揭曉了“第十三屆(2018年度)中國半導體創新產品和技術項目的評選結果”。公司IGBT團隊研發的40A、600V絕緣柵雙極型晶體管榮獲中國半導體創新產品和技術獎。

士蘭微電子IGBT團隊自主開發了40A、600V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT,型號SGT40N60NPFDPN)。SGT40N60NPFDPN是一種半導體功率器件產品,采用新一代平面柵場截止工藝技術制作,主要為高頻逆變拓撲結構(全橋、半橋、雙端正激等)應用而開發,該顆產品短路能力強,開關損耗低,且飽和壓降也可保持同行業內較低值,具有正向溫度特性,保證產品性能穩定,滿足全橋、半橋硬開關逆變拓撲的高頻化、高功率化的應用要求;廣泛應用于電焊機、切割機和UPS逆變應用領域,在行業內有較好的口碑。尤其在電焊機領域,各大焊機品牌客戶都有大量使用,市場使用反饋良好,在同規格產品中,士蘭微電子SGT40N60NPFDPN的市場占有率接近70%,是絕對的焊機領域標桿產品;依托于士蘭微電子成熟的工藝開發實力和生產管控能力,該顆產品的性能和質量表現穩定,市場表現優秀。

2019年世界半導體大會以“創新協作、世界同芯”為主題,吸引了半導體行業知名企業高層和行業內專家的參與。會上,與會嘉賓就應用熱點與市場機遇進行了深入的交流。


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